Samsung’un, Nvidia’nın özel yüksek bant genişlikli belleği NVHBM için bellek yığınının altındaki mantık taban yongasını TSMC’nin 3 nanometre üretim süreciyle üretmeyi kabul ettiği iddia edildi. Seoul Economic Daily’nin sektör kaynaklarına dayandırdığı haber doğrulanırsa bu, iki şirketin HBM üretim aşamasında ilk kez doğrudan iş birliği yapması anlamına gelebilir. Samsung veya TSMC tarafından duyurulmuş bir anlaşma bulunmuyor.
Habere göre Nvidia, aynı üretim koşullarını Samsung, SK hynix ve Micron’a iletti. Talep, NVHBM’nin taban yongalarında TSMC’nin 3 nm sürecinin, veri depolayan bellek katmanlarında ise altıncı nesil 1c DRAM teknolojisinin kullanılmasını içeriyor. Samsung’un şirket içi değerlendirmesinin ardından bu şartları kabul ettiği öne sürülüyor.
NVHBM’de taban yongasının rolü
İddia, Samsung’un belleğin tamamını TSMC’ye ürettireceği anlamına gelmiyor. Haber, DRAM katmanlarıyla bunların altındaki mantık devresini ayrı üretim kalemleri olarak ele alıyor. Nvidia’nın 26 Ağustos’ta açıkladığı NVHBM mimarisi, normalde ana işlemcide bulunan bellek denetleyicisini üç boyutlu HBM yığınının içine taşıyor. Bu sayede ana işlemcide hesaplama birimlerine daha fazla alan ayrılması hedefleniyor.
Teknoloji, kendi yapay zekâ işlemcilerini Nvidia altyapısıyla bir araya getirmek isteyen NVLink Fusion müşterilerine yönelik geliştiriliyor. Nvidia, standart HBM4E ile karşılaştırıldığında NVHBM’de bellek bant genişliğinin yüzde 30’a kadar artabileceğini, HBM güç tüketiminin yüzde 15 azalabileceğini ve ana işlemcide hesaplamaya ayrılabilecek alanın yüzde 25’e kadar büyüyebileceğini bildiriyor. Bunlar şirketin açıkladığı değerler; Samsung ile TSMC’nin olası ortak üretimiyle ortaya çıkacak bir ürünün bağımsız testlerle doğrulandığı anlamına gelmiyor.
Nvidia farklı tedarikçilerden benzer bellek istiyor
Nvidia’ya göre birden fazla üreticiden tedarik edilebilen standart bir NVHBM tasarımı, ürünlerin sisteme entegrasyonu ve doğrulanması için gereken mühendislik çalışmalarını azaltabilir. Bu nedenle olası iş birliğinin odağında yalnızca Samsung ve TSMC’nin aynı projede yer alması değil, farklı tedarikçilerden gelen belleklerin benzer şekilde çalışabilmesi bulunuyor.
Samsung’un şu anki üretim yaklaşımı daha bütünleşik. Şirket, şubatta duyurduğu HBM4 üretiminde kendi 1c DRAM teknolojisini 4 nm mantık taban yongasıyla birleştirdiğini açıklamıştı. Bellek, dökümhane ve gelişmiş paketleme faaliyetlerini aynı çatı altında yürüten Samsung’un, NVHBM’de belirli bir müşterinin gereksinimlerine göre farklı bir üretim düzenini değerlendirdiği belirtiliyor.
Seoul Economic Daily’nin haberine göre Samsung, standart HBM ürünlerinde ve diğer müşterilere özel belleklerde kendi üretim modelini sürdürecek. TSMC’nin kapasitesinin talebi karşılayamaması ihtimaline karşı NVHBM taban yongalarını kendi dökümhanesinde üretme seçeneği de değerlendiriliyor. Dolayısıyla iddia, Samsung’un HBM üretiminden çekildiği veya tüm taban yongası üretimini dışarı taşıdığı şeklinde yorumlanmamalı. TSMC’nin 3 nm sürecinin kullanımı ve olası iş bölümünün ayrıntıları için şirketlerden açıklama bekleniyor.
